Modelling and characterisation of heterostructure devices for MMIC application
For development of MMIC amplifier using GaAs HEMT and HBT devices developed in-house, it is essential to select devices of appropriate size for best power performance. The overall objective of this has been dc and microwave characterization of HEMT and HBT devices.
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Subrata Halder. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Ng, Geok Ing |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
منشور في: |
2008
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/3290 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Design and fabrication of III-V RF devices for MMIC applications
بواسطة: Ang, Kian Siong
منشور في: (2008) -
Nonlinear analysis of MMIC transmit/receive switch utilizing PHEMT devices
بواسطة: Chen, Bo
منشور في: (2008) -
Fabrication and characterization of high frequency devices for monolithic microwave integrated circuits (MMICS)
بواسطة: Lau, Kien Mun.
منشور في: (2008) -
Development of deep submicron HEMT MMIC for millimetre-wave applications
بواسطة: Ng, Geok Eng, وآخرون
منشور في: (2008) -
Process and device characterisation of advanced SOI devices
بواسطة: Chan, Yeen Tat
منشور في: (2008)