Design of GaAsNBi/GaAs quantum well laser with emission wavelength of 1.55um
GaAs-based laser diode with emission wavelength of 1.55um are highly demand due to their potential applications in optical fiber communication. We will use k.p method to calculate the energy level and optical transition to design a 1.55um GaAsNBi/GaAs quantum well laser diodes. The N and Bi composit...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Final Year Project |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2017
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/70842 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|