Mid-infrared emissive InAsSb quantum dots grown by metal–organic chemical vapor deposition
InAsSb islands/quantum dots (QDs) emitting at wavelength >2.8 μm were self-assembled on InP substrate by using metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD). Instead of using arsine, the safer organic tert-butylarsine (TBAs) was used as the arsenic source in the growth process. Effects of the g...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2016
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/82076 http://hdl.handle.net/10220/39757 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |