Fast Vth instability in HfO2 gate dielectric MOSFETs and its impact on digital circuits

• المؤلفون الرئيسيون: Shen, C., Yang, T., Li, M.-F., Wang, X., Foo, C.E., Samudra, G.S., Yeo, Y.-C., Kwong, D.-L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: CMOSFETs; Digital circuits; Reliability; Static random access memory (SRAM); Trapping
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/114505
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/TED.2006.885680