Fast Vth instability in HfO2 gate dielectric MOSFETs and its impact on digital circuits

Fast Vth instability in HfO2 gate dielectric MOSFETs and its impact on digital circuits

10.1109/TED.2006.885680

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Shen, C., Yang, T., Li, M.-F., Wang, X., Foo, C.E., Samudra, G.S., Yeo, Y.-C., Kwong, D.-L.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	CMOSFETs Digital circuits Reliability Static random access memory (SRAM) Trapping
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/114505
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة

A fast measurement technique of MOSFET Id-Vg characteristics
بواسطة: Shen, C., وآخرون
منشور في: (2014)

A 0.4 V 12T 2RW dual-port SRAM with suppressed common-row-access disturbance
بواسطة: Wang, Bo, وآخرون
منشور في: (2018)

Fast Vth instability in HfO2 gate dielectric MOSFETs and Its impact on digital circuits
بواسطة: Shen, C., وآخرون
منشور في: (2014)

Analysis of the DCIV peaks in electrically stressed pMOSFETs
بواسطة: Jie, B.B., وآخرون
منشور في: (2014)

The role of nitrogen on charge-trapping-induced Vth instability in HfAlON high-κ gate dielectric with metal and poly-Si gate electrodes
بواسطة: Yu, X., وآخرون
منشور في: (2014)

Threshold voltage instabilities in MOS transistors with advanced gate dielectrics
بواسطة: SHEN CHEN
منشور في: (2010)

Reliability analysis of thin HfO2/SiO2 gate dielectric stack
بواسطة: Samanta, P., وآخرون
منشور في: (2014)

Characteristics of self-aligned gate-first Ge p- and n-channel MOSFETs using CVD HfO2 gate dielectric and Si surface passivation
بواسطة: Wu, N., وآخرون
منشور في: (2014)

Interface traps at high doping drain extension region in sub-0.25-μm MOSTs
بواسطة: Chen, G., وآخرون
منشور في: (2014)

Modelling of the "Gated-diode" configuration in bulk MOSFET's
بواسطة: Yip, A., وآخرون
منشور في: (2014)

Gate-induced drain leakage current enhanced by plasma charging damage
بواسطة: Ma, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Dynamic bias-temperature instability in ultrathin SiO 2 and HfO 2 metal-oxide-semiconductor field effect transistors and its impact on device lifetime
بواسطة: Li, M.F., وآخرون
منشور في: (2014)

Low power circuit techniques for SRAM-based computing-in-memory macros
بواسطة: Li, DongLian
منشور في: (2025)

Area-efficient and low stand-by power 1k-byte transmission-gate-based non-imprinting high-speed erase (TNIHE) SRAM
بواسطة: Ho, Weng-Geng, وآخرون
منشور في: (2016)

Charge carrier generation/trapping mechanisms in HfO2/SiO2 stack
بواسطة: Samanta, P., وآخرون
منشور في: (2014)

TDDB and Polarity-Dependent Reliability of High-Quality, Ultrathin CVD HfO 2 Gate Stack with TaN Gate Electrode
بواسطة: Lee, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Frequency dependent dynamic charge trapping in HfO 2 and threshold voltage instability in MOSFETs
بواسطة: Shen, C., وآخرون
منشور في: (2014)

A self-rectifying HfO x-based unipolar RRAM with Nisi electrode
بواسطة: Tran, X.A., وآخرون
منشور في: (2014)

Bridge-Defect Prediction in SRAM Circuits Using Random Forest, XGBoost, and LightGBM Learners
بواسطة: Joydeep Ghosh, وآخرون
منشور في: (2023)

SRAM based computing-in-memory for tiny machine learning
بواسطة: Gupta, Shini
منشور في: (2024)

Charge trapping and TDDB characteristics of ultrathin MOCVD HfO2 gate dielectric on nitrided germanium
بواسطة: Bai, W., وآخرون
منشور في: (2014)

Flexible architecture for analogue delay line
بواسطة: Edang, E., وآخرون
منشور في: (2008)

Ultra-low voltage SRAM for IoT applications
بواسطة: Cai, Yanru
منشور في: (2024)

Failure mechanisms in HfO2 high-k gate stack MOSFETs
بواسطة: Ranjan Rakesh
منشور في: (2008)

Dynamic NBTI of p-MOS transistors and its impact on MOSFET scaling
بواسطة: Chen, G., وآخرون
منشور في: (2014)

Mobility enhancement in TaN metal-gate MOSFETs using tantalum incorporated HfO2 gate dielectric
بواسطة: Yu, X., وآخرون
منشور في: (2014)

Asymmetric energy distribution of interface traps in germanium MOSFETs with HfO2 gate dielectric
بواسطة: Xie, R., وآخرون
منشور في: (2014)

Negative U traps in HfO 2 gate dielectrics and frequency dependence of dynamic BTI in MOSFETs
بواسطة: Shen, C., وآخرون
منشور في: (2014)

Gate-first germanium nMOSFET with CVD HfO2 gate dielectric and silicon surface passivation
بواسطة: Wu, N., وآخرون
منشور في: (2014)

Wide Vfband Vth tunability for metal-gated MOS devices with HfLaO gate dielectrics
بواسطة: Wang, X.P., وآخرون
منشور في: (2014)

Yttrium- and terbium-based interlayer on SiO2 and HfO2 gate dielectrics for work function modulation of nickel fully silicided gate in nMOSFET
بواسطة: Lim, A.E.-J., وآخرون
منشور في: (2014)

Size effect of embedded nanocrystals in floating gate MOSFET devices
بواسطة: Cheng, X.Z., وآخرون
منشور في: (2014)

Stress-induced leakage current in dual-gate CMOSFETS with thin nitrided gate oxides
بواسطة: HUANG JINSHENG
منشور في: (2010)

BTI and charge trapping in germanium p- And n-MOSFETs with CVD HfO 2 gate dielectric
بواسطة: Wu, N., وآخرون
منشور في: (2014)

Design and optimization of high-density ternary logic memory circuits
بواسطة: Yang, Zepeng
منشور في: (2025)

0.2 V 8T SRAM With PVT-Aware Bitline Sensing and Column-Based Data Randomization
بواسطة: Do, Anh Tuan, وآخرون
منشور في: (2016)

Characterization and physical origin of fast vth Transient in NBTI of pMOSFETs with SiON dielectric
بواسطة: Shen, C., وآخرون
منشور في: (2014)

Effective surface passivation by novel SiH4-NH3 treatment and BTI characteristics on interface-engineered high-mobility HfO 2-gated Ge pMOSFETs
بواسطة: Xie, R., وآخرون
منشور في: (2014)

A secure data-toggling SRAM for confidential data protection
بواسطة: Ho, Weng-Geng, وآخرون
منشور في: (2022)

Pt-germanide schottky source/drain germanium p-MOSFET with HfO2 gate dielectric and TaN gate electrode
بواسطة: Li, R., وآخرون
منشور في: (2014)