A COMPARATIVE STUDY OF RELIABILITY IN THIN GATE OXIDES SUBJECTED TO ELECTRON-BEAM IRRADIATION AND TO ELECTRICAL STRESS
Master's
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | CHONG PEI FEN |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
منشور في: |
2019
|
الوصول للمادة أونلاين: | https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/158745 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
A COMPARATIVE STUDY OF RELIABILITY IN THIN GATE OXIDES SUBJECTED TO ELECTRON-BEAM IRRADIATION AND TO ELECTRICAL STRESS
بواسطة: CHONG PEI FEN
منشور في: (2019) -
Investigation of reliability degradation of ultra-thin gate oxides irradiated under electron-beam lithography conditions
بواسطة: Chong, P.F., وآخرون
منشور في: (2014) -
Effects of electron-beam lithography on thin gate oxide reliability
بواسطة: Chong, P.F., وآخرون
منشور في: (2014) -
Electron-beam irradiation-induced gate oxide degradation
بواسطة: Cho, B.J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Reliability of thin gate oxides irradiated under X-ray lithography conditions
بواسطة: Cho, B.J., وآخرون
منشور في: (2014)