ELECTRICAL CHARACTERISATION OF MOS GATE OXIDE

ELECTRICAL CHARACTERISATION OF MOS GATE OXIDE

Master's

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	OOI JOO AIK
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL ENGINEERING
التنسيق:	Theses and Dissertations
منشور في:	2020
الوصول للمادة أونلاين:	https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/172362
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

Charging effect on electrical characteristics of MOS structures with Si nanocrystal distribution in gate oxide
بواسطة: Li, S., وآخرون
منشور في: (2010)

Influence of Si nanocrystal distributed in the gate oxide on the MOS capacitance
بواسطة: Zhao, P., وآخرون
منشور في: (2010)

Physical and electrical characteristics of HfN gate electrode for advanced MOS devices
بواسطة: Yu, H.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Pre-breakdown charge trapping in ESD stressed thin MOS gate oxides
بواسطة: Teh, G.L., وآخرون
منشور في: (2014)

DEGRADATION AND ANNEALING OF ELECTRICALLY-STRESSED THIN OXIDE IN MOS DEVICES
بواسطة: NG WEE THONG
منشور في: (2020)

AlGan/Gan metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors (MOS-HEMTs) with novel gate oxides
بواسطة: LIU CHANG
منشور في: (2010)

Modulation of capacitance magnitude by charging/discharging in silicon nanocrystals distributed throughout the gate oxide in MOS structures
بواسطة: Gui, D., وآخرون
منشور في: (2010)

Characterization of gate oxide degradation caused by electrical stress
بواسطة: Huang, Jiayi.
منشور في: (2008)

Gate-tunable resonant Raman spectroscopy of bilayer MoS2
بواسطة: Lu, Xin, وآخرون
منشور في: (2020)

Threshold voltage instabilities in MOS transistors with advanced gate dielectrics
بواسطة: SHEN CHEN
منشور في: (2010)

MOS characteristics of substituted Al gate on high-κ dielectric
بواسطة: Park, C.S., وآخرون
منشور في: (2014)

ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF N2O ANNEALED GATE OXIDE
بواسطة: DAI FENG
منشور في: (2020)

Wide Vfband Vth tunability for metal-gated MOS devices with HfLaO gate dielectrics
بواسطة: Wang, X.P., وآخرون
منشور في: (2014)

Synthesis and characterisation of MoS2 - NaYF4:Yb, Er nanocomposite
بواسطة: Ann, Kai Heng
منشور في: (2014)

Effects of sulfur passivation on germanium MOS capacitors With HfON gate dielectric
بواسطة: Xie, R., وآخرون
منشور في: (2014)

ELECTRICAL AND STRUCTURAL CHARACTERISATIONS OF RAPID THERMAL ANNEALED SILICON : SILICON OXIDE SYSTEMS
بواسطة: CHAN YEE MING
منشور في: (2020)

Investigation of electrical properties of furnace grown gate oxide on strained-Si
بواسطة: Bera, L.K., وآخرون
منشور في: (2014)

HOT-CARRIER CHARACTERIZATION OF TUNGSTEN POLYCIDE GATE AND GRADED-JUNCTION MOS TRANSISTORS
بواسطة: LOU CHOON LEONG
منشور في: (2020)

Robust HfN Metal Gate Electrode for Advanced MOS Devices Application
بواسطة: Yu, H.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Comparison between leakage currents in thin gate oxides subjected to X-ray radiation and electrical stress degradation
بواسطة: Cho, B.J., وآخرون
منشور في: (2014)

ELECTRICAL AND STRUCTURAL CHARACTERISATION OF RAPID THERMAL ANNEALED RF SPUTTERED SILICON OXIDE FILMS
بواسطة: HAN KING KWANG
منشور في: (2020)

Structural and electrical characterisations of rapid thermal annealed thin silicon oxide films on silicon
بواسطة: Chan, Y.M., وآخرون
منشور في: (2014)

Bipolar current stressing and electrical recovery of quasi-breakdown in thin gate oxides
بواسطة: Loh, W.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Multifunctional magnetic oxide-MoS₂ heterostructures on silicon
بواسطة: Yang, Allen Jian, وآخرون
منشور في: (2023)

Electrical characterisation of metal-thin oxide-silicon tunnel diodes prepared by rapid thermal annealing
بواسطة: Choi, W.K., وآخرون
منشور في: (2014)

SYNTHESES AND CHARACTERISATION OF ELECTRICALLY CONDUCTING POLYMERS
بواسطة: LEONG LUP SAN
منشور في: (2020)

Characterisation of electrical properties of dielectric materials
بواسطة: Wu, Xing.
منشور في: (2013)

STUDY OF GATE VOLTAGE STRESS AND VISIBLE LIGHT IRRADIATION ON MOS2 BASED GAS SENSORS
بواسطة: TONG YU
منشور في: (2017)

In situ silane passivation of gallium arsenide and deposition of high-permittivity gate dielectric for MOS applications
بواسطة: Zhu, M., وآخرون
منشور في: (2014)

Electrical properties of neodymium oxide/titanium dioxide and neodymium oxide/gadolinium silicate dielectric gate stack on silicon substrate
بواسطة: Lee, Vivian Sing Zhi.
منشور في: (2012)

Radiation and electrical stress-induced hole trap-assisted tunneling currents in ultrathin gate oxides
بواسطة: Ang, C.-H., وآخرون
منشور في: (2014)

Electron-beam irradiation-induced gate oxide degradation
بواسطة: Cho, B.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Electrical characteristics of Si nanocrystal distributed in a narrow layer in the gate oxide near the gate synthesized with very-low-energy ion beams
بواسطة: Ng, Chi Yung, وآخرون
منشور في: (2010)

A STUDY OF CHARGE INJECTION AND REMOVAL IN A FLOATING GATE IONISATION-INJECTION MOS(FIMOS) CELL
بواسطة: LEE KOK CHOY
منشور في: (2020)

The physical origins of fast and slow components in NBTI degradation for p-MOS transistors with SiON gate dielectric
بواسطة: Li, M.-F., وآخرون
منشور في: (2014)

Thermally robust HfN metal as a promising gate electrode for advanced MOS device applications
بواسطة: Yu, H.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Characterisation of internal flushing in electrical discharge machining
بواسطة: Gunasekaran, Senthil Kumar
منشور في: (2018)

Electrical and optical characterisation of novel semiconductor lasers
بواسطة: Shang, Yushan
منشور في: (2015)

Effects of electron-beam lithography on thin gate oxide reliability
بواسطة: Chong, P.F., وآخرون
منشور في: (2014)

Fowler-nordheim stress degradation in gate oxide: Results from gate-to-drain capacitance and charge pumping current
بواسطة: Ling, C.H., وآخرون
منشور في: (2014)