Absorption recovery time reduction in InGaN/GaN quantum well saturable absorbers

Absorption recovery time reduction in InGaN/GaN quantum well saturable absorbers

10.1063/1.2924412

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Lin, F., Xiang, N., Chua, S.J., Irshad, A., Roither, S., Pugzlys, A., Baltuska, A., Chen, P., Chow, S.Y.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/50857
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة