A time-dependent technique for carrier recombination and generation lifetime measurement in SOI MOSFET

• المؤلفون الرئيسيون: Zhang, G., Yoo, W.J., Ling, C.H.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Carrier lifetimes; Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor; Silicon-on-insulator; Time-dependent technique
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/54834

10.1016/j.sse.2008.07.007