Generation-recombination noise in the near fully depleted SIMOX N-MOSFET operating in the linear region
10.1109/55.962658
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Ang, D.S., Lun, Z., Ling, C.H. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/56126 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Generation-Recombination Noise in the Near Fully Depleted SIMOX SOI n-MOSFET - Physical Characteristics and Modeling
بواسطة: Ang, D.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Low-frequency noise measurement and analysis in organic light-emitting diodes
بواسطة: Ke, L., وآخرون
منشور في: (2014) -
Low frequency optical noise from organic light emitting diode
بواسطة: Ke, L., وآخرون
منشور في: (2014) -
Low noise amplifier design and noise cancellation for wireless hearing aids
بواسطة: ZHANG LIANG
منشور في: (2010) -
A steady state drain current technique for generation and recombination lifetime measurement in the SOI MOSFET
بواسطة: Cheng, Z.Y., وآخرون
منشور في: (2014)