Mask error enhancement factor for sub 0.13μm lithography
10.1117/12.435788
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Tan, S.K., Lin, Q., Quan, C., Tay, C.J., See, A. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | PHYSICS |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/73584 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Characterization of assist features on impact of mask error enhancement factors for sub-0.13 um technology
بواسطة: Tan, S.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Process window optimization of CPL mask for beyond 45nm lithography
بواسطة: Tan, S.Y., وآخرون
منشور في: (2014) -
The study of Chromeless Phase Lithography (CPL) for 45nm lithography
بواسطة: Soon, Y.T., وآخرون
منشور في: (2014) -
A FinFET and Tri-gate MOSFET's channel structure patterning and its influence on the device performance
بواسطة: Jagar, S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Application of phase shift masking to sub-0.13 micron lithography
بواسطة: Koo, Chee Kiong.
منشور في: (2008)