Diluted magnetic semiconductor Ge1-xMnxTe films prepared by molecular beam epitaxy
10.1016/j.tsf.2005.10.023
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Chen, W.Q., Teo, K.L., Jalil, M.B.A., Liew, Y.F., Chong, T.C. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82156 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Temperature dependent magneto-transport studies in ferromagnetic GE 1-XMNXTE with high mn composition
بواسطة: Lim, S.T., وآخرون
منشور في: (2014) -
MBE growth and characterization of Ge1-xMnxTe ferromagnetic semiconductors
بواسطة: CHEN WENQIAN
منشور في: (2010) -
Segregation of Manganese Atoms during the Growth of Ge1-xMnx Nanocolumns on Ge (001)
بواسطة: Le, Thi Giang, وآخرون
منشور في: (2017) -
1.31 μm GaAs-based heterojunction p-i-n photodetectors using InGaAsNSb as the intrinsic layer grown by molecular beam epitaxy
بواسطة: Cheah, W.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
InGaAs nanostructures grown by droplet molecular beam epitaxy
بواسطة: Naraporn Pankaow
منشور في: (2011)