Fermi-level pinning and charge neutrality level in nitrogen-doped Ge 2 Sb2 Te5: Characterization and application in phase change memory devices

• المؤلفون الرئيسيون: Fang, L.W.-W., Zhang, Z., Zhao, R., Pan, J., Li, M., Shi, L., Chong, T.-C., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82353
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1063/1.3475721