Novel nickel silicide contact technology using selenium segregation for SOI N-FETs with silicon-carbon source/drain stressors

10.1109/LED.2008.2000716

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Wong, H.-S., Liu, F.-Y., Ang, K.-W., Samudra, G., Yeo, Y.-C.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	Ohmic contact Schottky barrier height Selenium (Se) segregation Silicon-carbon source/drain (S/D) stressor
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82786
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة