Hot carrier reliability of strained N-MOSFET with lattice mismatched source/drain stressors

• المؤلفون الرئيسيون: Ang, K.-W., Wan, C., Chui, K.-J., Tung, C.-H., Balasubramanian, N., Li, M.-F., Samudra, G., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83804
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/RELPHY.2007.369569