Comparative analysis and study of ionized metal plasma (IMP)-Cu and chemical vapor deposition (CVD)-Cu on diffusion barrier properties of IMP-TaN on SiO2

10.1016/S0921-5107(00)00504-3

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Lee, Y.K., Latt, K.M., JaeHyung, K., Osipowicz, T., Sher-Yi, C., Lee, K.
مؤلفون آخرون: PHYSICS
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/96028
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!