Effect of the silicon nitride passivation layer on the Cu/Ta/SiO2/Si multi-layer structure

• المؤلفون الرئيسيون: Latt, K.M., Park, H.S., Seng, H.L., Osipowicz, T., Lee, Y.K., Li, S.
• مؤلفون آخرون: PHYSICS
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Diffusion barrier; Interfacial reaction; Ionized metal plasma; Metallization; Phase transformation; Tantalum
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/96343

10.1016/S0921-5107(01)00746-2