Ge islanding growth on nitridized Si and the effect of Sb surfactant
10.1088/0953-8984/14/39/303
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Hu, Y., Wang, X.-S., Cue, N., Wang, X. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | PHYSICS |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/96694 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Different growth behavior of Ge, Al and Sb on graphite
بواسطة: Xiao, W., وآخرون
منشور في: (2014) -
Strain-mediated uniform islands in stacked Ge/Si(001) layers
بواسطة: Xu, M., وآخرون
منشور في: (2014) -
Pressure-induced resonant Raman scattering in Ge/Si islands
بواسطة: Teo, K.L., وآخرون
منشور في: (2014) -
Raman scattering studies of Ge/Si islands under hydrostatic pressure
بواسطة: Teo, K.L., وآخرون
منشور في: (2014) -
Acomparative study of al, Ge and Sb selfassembled nanostructures on graphite
بواسطة: Wang, X.-S., وآخرون
منشور في: (2014)