Interfacial reactions and failure mechanism of Cu/Ta/SiO2/Si multilayer structure in thermal annealing

• المؤلفون الرئيسيون: Latt, K.M., Lee, Y.K., Osipowicz, T., Park, H.S.
• مؤلفون آخرون: PHYSICS
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Diffusion barrier; Interfacial reaction; Metallization; Phase transformation; Tantalum (Ta)
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/96965
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1016/S0921-5107(02)00093-4