CMOS-MEMS capacitive sensors for intra-cranial pressure monitoring : sensor fabrication & system design
Low-frequency variation of intracranial pressure (ICP) is a key indicator determining the successful outcome of a patient, subjected to traumatic brain injury (TBI). Post-trauma ICP increase can lead to fatal secondary injuries and hence continuous ICP monitoring would be an essential modality requi...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | George, Arup K., Chan, Wai Pan, Narducci, Margarita Sofia, Kong, Zhi Hui, Je, Minkyu |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/100181 http://hdl.handle.net/10220/13608 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Design of a supply- and temperature-invariant capacitive sensor interface for low power applications
بواسطة: Arup Kocheethra George
منشور في: (2015) -
Capacitive pressure sensor with a cantilever member
بواسطة: TAN, WOEI WAN, وآخرون
منشور في: (2012) -
Design of an optical MEMS flow sensor in CMOS technology
بواسطة: Wu, Dong Qin.
منشور في: (2008) -
LCP MEMS implantable pressure sensor for Intracranial Pressure measurement
بواسطة: Preedipat Sattayasoonthorn, وآخرون
منشور في: (2018) -
An ANN-based smart capacitive pressure sensor in dynamic environment
بواسطة: Kot, Alex Chichung, وآخرون
منشور في: (2011)