Operando direct observation of filament formation in resistive switching devices enabled by a topological transformation molecule
Conductive filaments (CFs) play a critical role in the mechanism of resistive random-access memory (ReRAM) devices. However, in situ detection and visualization of the precise location of CFs are still key challenges. We demonstrate for the first time the use of a π-conjugated molecule which can tra...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Hou, Kunqi, Chen, Shuai, Zhou, Cheng, Nguyen, Linh Lan, Dananjaya, Putu Andhita, Duchamp, Martial, Bazan, Guillermo C., Lew, Wen Siang, Leong, Wei Lin |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Physical and Mathematical Sciences |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2021
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/153464 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
CIM design and verification for ternary CNNs based on state-of-the-art ReRAM models
بواسطة: Liu, Yuxiang
منشور في: (2025) -
Digital ReRAM-based compute-in-memory design
بواسطة: Xu, Jiawei
منشور في: (2024) -
Uncovering the indium filament revolution in transparent bipolar ito/siox/ito resistive switching memories
بواسطة: Qian, Kai, وآخرون
منشور في: (2022) -
Crossbar-constrained technology mapping for ReRAM based in-memory computing
بواسطة: Bhattacharjee, Debjyoti, وآخرون
منشور في: (2021) -
Cation-based memristors for memory and non-conventional computing applications
بواسطة: Lee, Calvin Xiu Xian
منشور في: (2025)