Design of A 3-5 um and 8-12 um two-color InGaN/AlGaN quantum well infrared photo-detector
Thermal imaging technology is the cornerstone of military and civil technology. Two-color infrared photodetectors working in mid-wavelength infrared (MWIR, 3 μm-5 μm) and long-wavelength infrared (LWIR, 8 μm-12 μm) band receive significant attention. The excellent optoelectronic and physicochemical...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Yang, Yuhui |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Fan Weijun |
التنسيق: | Thesis-Master by Coursework |
اللغة: | English |
منشور في: |
Nanyang Technological University
2022
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/157569 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Mid-infrared GaN/AlGaN quantum cascade detector grown on silicon
بواسطة: Dror, Ben, وآخرون
منشور في: (2021) -
Engineered ultraviolet InGaN/AlGaN multiple-quantum-well structures for maximizing cathodoluminescence efficiency
بواسطة: Zheng, Haiyang, وآخرون
منشور في: (2022) -
Advantages of the Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with an AlGaN/GaN/AlGaN Quantum Well Structured Electron Blocking Layer
بواسطة: Ju, Zhen Gang, وآخرون
منشور في: (2016) -
Design 1.3 um GaAsSbN/GaAs quantum well laser diode
بواسطة: Dong, Bin
منشور في: (2013) -
Design of 1.55 um InGaAsNBi/GaAs quantum well laser
بواسطة: Kwan, Zi Jian
منشور في: (2017)