Investigation of the influences of wetting layer, size and shape of quantum dots on the energy states in INAS/GAAS semiconductor quantum dots
The influences of wetting layer, size and shape of quantum dots on the conduction band of the electron from InAs/GaAs semiconductor quantum dots are studied theoretically and numerically. Models are constructed into conical, spherical and cylindrical shapes of quantum dots with different sizes. Furt...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Gu, Zhenming. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Su Haibin |
التنسيق: | Final Year Project |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/51375 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Quantitative strain analysis of InAs/GaAs quantum dot materials
بواسطة: Vullum, Per Erik, وآخرون
منشور في: (2018) -
Impurity free vacancy disordering of InAs/GaAs quantum dot and InAs/InGaAs dot-in-a-well structures
بواسطة: Chia, C.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Saturated dot density of InAs/GaAs self-assembled quantum dots grown at high growth rate
بواسطة: Chia, C.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Control of the number of dots in inas quantum dot molecules for quantum computing
بواسطة: Naparat Siripitakchai
منشور في: (2006) -
Effects of size and shape on electronic states of quantum dots
بواسطة: Ngo, C., وآخرون
منشور في: (2013)