Ultra-low voltage SRAM design
Static Random Access Memory or SRAM, is the most common embedded memory option for Integrated Circuits. With the scaling of supply voltage to close to sub threshold regions, it must still remain operable such that they can still work in ultra-low power battery operated systems. However, the basic...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Zhou, Jay Yun Jie |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Kim Tae Hyoung |
التنسيق: | Final Year Project |
اللغة: | English |
منشور في: |
2017
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/70808 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Ultra-low voltage SRAM design
بواسطة: Wong, Timothy Ting Hin
منشور في: (2019) -
Minimum energy driven ultra-low voltage SRAM
بواسطة: Sebastian, Hendrick
منشور في: (2023) -
High energy efficient ultra-low voltage SRAM design : device, circuit, and architecture
بواسطة: Kim, Tony Tae-Hyoung, وآخرون
منشور في: (2013) -
Design of minimum energy driven ultra-low voltage SRAMs and D flip-flop
بواسطة: Wang, Bo
منشور في: (2015) -
Ultra-low power SRAM and SRAM based PUF design
بواسطة: Lu, Lu
منشور في: (2019)