Design of 1.55 um InGaAsNBi/GaAs quantum well laser
The use of InGaAs/GaAs quantum well (QW) lasers has started to become prevalent in fiber communications. It is found that by operating at 1.55um minimal optical loss can be achieved. Bismide has been added so as to achieve the ideal 1.55um wavelength for the QW laser. Simulations with varying bismid...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Kwan, Zi Jian |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Fan Weijun |
التنسيق: | Final Year Project |
اللغة: | English |
منشور في: |
2017
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/70856 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Design of GaAsNBi/GaAs quantum well laser with emission wavelength of 1.55um
بواسطة: Chen, Ruiming
منشور في: (2017) -
Effect of In-segregation on subbands in GaInNAs/GaAs quantum wells emission around 1.3 and 1.55 micron
بواسطة: Dixit, V., وآخرون
منشور في: (2014) -
Design 1.3 um GaAsSbN/GaAs quantum well laser diode
بواسطة: Dong, Bin
منشور في: (2013) -
Growth of GaAs/AlGaAs quantum well lasers and GaAs/InGaAs vertical cavity surface emitting lasers by MBE
بواسطة: Li, Chaoyong.
منشور في: (2009) -
Optical characteristics of 1.55 μm GaInNAs multi-quantum wells
بواسطة: Sun, Handong, وآخرون
منشور في: (2009)