Determination of diffusion lengths for intermixed quaternary quantum well with polarized edge-emitting photoluminescence
Diffusion lengths of the group III and V sublattices are quantitatively determined for intermixing of a quaternary InGaAs/InP quantum well using polarized edge-emitting photoluminescence. Diffusion-length loci are plotted on a contour diagram of wavelength shifts of electron-heavy-hole and electron-...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Xu, C. D., Mei, Ting, Dong, Jian Rong |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2010
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/91355 http://hdl.handle.net/10220/6397 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Photoluminescence of intermixed quantum wells
بواسطة: Davuluri Swetha
منشور في: (2008) -
Plasma-induced quantum well intermixing for monolithic photonic integration
بواسطة: Djie, Hery Susanto, وآخرون
منشور في: (2010) -
Plasma induced quantum well intermixing for photonic integration
بواسطة: Hery Susanto Djie
منشور في: (2008) -
Quantum well intermixing using pulsed laser irradiation
بواسطة: Ong, Teik Kooi.
منشور في: (2008) -
Argon plasma exposure enhanced intermixing in an undoped InGaAsP/InP quantum-well structure
بواسطة: Tang, Xiaohong, وآخرون
منشور في: (2010)