Quantum dissipation and broadening mechanisms due to electron-phonon interactions in self-formed InGaN quantum dots
Quantum dissipation and broadening mechanisms in Si-doped InGaN quantum dots are studied via the photoluminescence technique. It is found that the dissipative thermal bath that embeds the quantum dots plays an important role in the photon emission processes. Observed spontaneous emission spectra are...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Xu, S. J., Li, G. Q., Wang, Y. J., Zhao, Yang, Chen, Guan Hua, Zhao, D. G., Zhu, J. J., Yang, H., Yu, D. P., Wang, J. N. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Materials Science & Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2011
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/92236 http://hdl.handle.net/10220/6728 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Designer polymer-quantum dot architectures
بواسطة: Tomczak, N., وآخرون
منشور في: (2014) -
Investigation of quantum dot structures for terahertz emission
بواسطة: Tan, Thiam Khee.
منشور في: (2013) -
Green luminescence band in ZnO : fine structures, electron−phonon coupling and temperature effect
بواسطة: Shi, S. L., وآخرون
منشور في: (2011) -
Manipulation of the optical properties in colloidal quantum wells: towards efficient laser applications
بواسطة: Zhang, Zitong
منشور في: (2022) -
Fabrication of high efficient organic/CdSe quantum dots hybrid OLEDs by spin-coating method
بواسطة: Uddin, A., وآخرون
منشور في: (2014)