Quantum dissipation and broadening mechanisms due to electron-phonon interactions in self-formed InGaN quantum dots

Quantum dissipation and broadening mechanisms in Si-doped InGaN quantum dots are studied via the photoluminescence technique. It is found that the dissipative thermal bath that embeds the quantum dots plays an important role in the photon emission processes. Observed spontaneous emission spectra are...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Xu, S. J., Li, G. Q., Wang, Y. J., Zhao, Yang, Chen, Guan Hua, Zhao, D. G., Zhu, J. J., Yang, H., Yu, D. P., Wang, J. N.
مؤلفون آخرون: School of Materials Science & Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2011
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/92236
http://hdl.handle.net/10220/6728
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة