A new breakdown failure mechanism in HfO 2 gate dielectric

Annual Proceedings - Reliability Physics (Symposium)

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Ranjan, R., Pey, K.L., Tang, L.J., Tung, C.H., Groeseneken, G., Radhakrishnan, M.K., Kaczer, B., Degraeve, R., De Gendt, S.
مؤلفون آخرون:	INSTITUTE OF MICROELECTRONICS
التنسيق:	Conference or Workshop Item
منشور في:	2014
الموضوعات:	Breakdown Dielectric-breakdown- induced epitaxy HfO 2 High-k gate dielectrics
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/115364
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة