Method to form narrow and wide shallow trench isolations with different trench depths to eliminate isolation oxide dishing
US6207534
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | CHAN, LAP, CHA, CHER LIANG, LEE, TECK KOON |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | Patent |
منشور في: |
2012
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/32588 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Method to form shallow trench isolation structures for borderless contacts in an integrated circuit
بواسطة: GOH, KENNY HUA KOOI, وآخرون
منشور في: (2012) -
THE INFLUENCE OF TRENCHES ON WAVE HEIGHTTOWARDS THE SHORE WITH SHALLOW WATEREQUATIONS
بواسطة: Samuel Diaz H P, Christophe -
Method to form shallow junction transistors while eliminating shorts due to junction spiking
بواسطة: CHAN, LAP, وآخرون
منشور في: (2012) -
Williamsia marianensis sp. nov., a novel actinomycete isolated from the Mariana Trench
بواسطة: Wasu Pathom-Aree, وآخرون
منشور في: (2018) -
Earthquake risk on the Sunda trench
بواسطة: Nalbant, Suleyman S., وآخرون
منشور في: (2012)