Simplified dual damascene process utilizing PPMSO as an insulator layer
US6323125
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | SOO, CHOI PHENG, LOH, WYE BOON, CHAN, LAP |
---|---|
مؤلفون آخرون: | MATERIALS SCIENCE |
التنسيق: | Patent |
منشور في: |
2012
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/32603 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Length effects on the reliability of dual-damascene Cu interconnects
بواسطة: Wei, F., وآخرون
منشور في: (2014) -
Mortality dependence of Cu dual damascene interconnects on adjacent segment
بواسطة: Chang, C.W., وآخرون
منشور في: (2014) -
Self-aligned dual damascene processing technique to improve copper interconnect performance
بواسطة: Neo, Chin Chuan
منشور في: (2008) -
A dual BARC method for lithography and etch for Dual damascene with low K
بواسطة: Mukherjee-Roy, M., وآخرون
منشور في: (2014) -
Experimental characterization of the reliability of multi-terminal dual-damascene copper interconnect trees
بواسطة: Gan, C.L., وآخرون
منشور في: (2014)