Nanoheteroepitaxy of gallium arsenide on strain-compliant silicon-germanium nanowires

Nanoheteroepitaxy of gallium arsenide on strain-compliant silicon-germanium nanowires

10.1063/1.3465327

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Chin, H.-C., Gong, X., Ng, T.K., Loke, W.K., Wong, C.P., Shen, Z., Wicaksono, S., Yoon, S.F., Yeo, Y.-C.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/56758
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore

مواد مشابهة

مواد مشابهة