New purely-experimental technique for extracting the spatial distribution of hot-carrier-induced interface states and trapped charges in MOSFETs

• المؤلفون الرئيسيون: Leang, S.E., Chan, D.S.H., Chim, W.K.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/72793

Annual Proceedings - Reliability Physics (Symposium)