Effects of nitric-oxide-plasma treatment on the electrical properties of tetraethylorthosilicate-deposited silicon dioxides on strained-Si1-xGex layers
Applied Physics Letters
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Senapati, B., Samanta, S.K., Maikap, S., Bera, L.K., Maiti, C.K. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/80378 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Effects of thermal annealing on the electrical properties of tetraethylorthosilicate-based oxynitride films deposited on strained-Si1-xGex
بواسطة: Samanta, S.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Interface properties and reliability of ultrathin oxynitride films grown on strained Si1-xGex substrates
بواسطة: Samanta, S.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Rapid thermal oxidation of Ge-rich Si1-xGex heterolayers
بواسطة: Bera, M.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Rapid thermal oxidation of radio frequency sputtered polycrystalline Si1-xGex thin films
بواسطة: Natarajan, A., وآخرون
منشور في: (2014) -
Characterization of thick graded Si1-xGex/Si layers grown by low energy plasma enhanced chemical vapour deposition
بواسطة: Seng, H.L., وآخرون
منشور في: (2014)