Influence of Pt in a Ti-Al-Pt-Au ohmic contact on n-type GaN

Influence of Pt in a Ti-Al-Pt-Au ohmic contact on n-type GaN

10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:13.0.CO;2-F

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Kachwalla, Z., Wiggins, J.W., Chua, S.J., Wang, W.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/80598
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

Surface Modification and Ohmic Contact Formation to n and p-Type GaN
بواسطة: Choi, H.W., وآخرون
منشور في: (2014)

Formation of Ti/Al ohmic contacts on Si-doped GaN epilayers by low temperature annealing
بواسطة: Tan, L.S., وآخرون
منشور في: (2014)

AlGaN/GaN high electron mobility transistors with implanted ohmic contacts
بواسطة: Wang, H.T., وآخرون
منشور في: (2014)

Effects of plasma surface treatment on ohmic contact to n-GaN
بواسطة: Chor, E.F., وآخرون
منشور في: (2014)

Non-gold ohmic contact for GaN-on-Si HEMT
بواسطة: Zhuang, Yihao
منشور في: (2023)

Effects of surface plasma treatment on n-GaN ohmic contact formation
بواسطة: Li, L.K., وآخرون
منشور في: (2014)

Conduction mechanism of non-gold Ta/Si/Ti/Al/Ni/Ta ohmic contacts in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
بواسطة: Li, Yang, وآخرون
منشور في: (2015)

Photoreflectance study of Au-Schottky contacts on n-GaN
بواسطة: Liu, W., وآخرون
منشور في: (2014)

Thickness dependent electrical characteristics of InAlN/GaN-on-Si MOSHEMTs with Y2O3 gate dielectric and Au-free ohmic contact
بواسطة: Bera, M.K., وآخرون
منشور في: (2014)

Low-contact-resistance non-gold Ta/Si/Ti/Al/Ni/Ta ohmic contacts on undoped AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors grown on silicon
بواسطة: Li, Yang, وآخرون
منشور في: (2015)

Regrown ohmic contact to GaN-based high electron mobility transistors
بواسطة: Tan, Eleen
منشور في: (2023)

GaN based high mobility electron transistors with regrown ohmic contacts
بواسطة: Weng, Don Letian
منشور في: (2024)

Improvement of GaN light-emitting diodes with surface-treated Al-doped ZnO transparent Ohmic contacts by holographic photonic crystal
بواسطة: Yang, W.F., وآخرون
منشور في: (2014)

CMOS-compatible Ti/TiN/Al refractory ohmic contact for GaAs heterojunction bipolar transistors grown on Ge/Si substrate
بواسطة: Wang, Yue, وآخرون
منشور في: (2022)

Alternative (Pd,Ti,Au) contacts to (Pt,Ti,Au) contacts for In0.53Ga0.47As
بواسطة: Chor, E.F., وآخرون
منشور في: (2014)

Phenomenon of drain current instability on p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Chang, T.-F., وآخرون
منشور في: (2016)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
بواسطة: Kyaw, Zabu, وآخرون
منشور في: (2014)

Micro-Raman investigation of strain in GaN and Al xGa 1-xN/GaN heterostructures grown on Si(111)
بواسطة: Tripathy, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Effect of post-deposition annealing on the interface electronic structures of Al2O3-Capped GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructure
بواسطة: Duan, Tian Li, وآخرون
منشور في: (2019)

Dislocation scattering in n-GaN
بواسطة: Choi, H.W., وآخرون
منشور في: (2014)

The study of piezoelectric effect in wurtzite GaN/InGaN/AlGaN multilayer structures
بواسطة: Liu, W., وآخرون
منشور في: (2014)

FABRICATION AND CHARACTERIZATION OHMIC CONTACTS MADE WITH AU/NI/GE/AU MULTILAYER METALLIZATION SYSTEM ON N-TYPE GALLIUM ARSENIDE
بواسطة: LEE SENG HIN
منشور في: (2020)

Comparative investigation of photoluminescence of In- and Si- doped GaN/AlGaN multi-quantum wells
بواسطة: Sun, W.H., وآخرون
منشور في: (2014)

Electronic structures of AlGaN2 nanotubes and AlN-GaN nanotube superlattice
بواسطة: Pan, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
بواسطة: Sun, Xiaowei, وآخرون
منشور في: (2013)

Plasma-induced damage to n-type GaN
بواسطة: Choi, H.W., وآخرون
منشور في: (2014)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata
بواسطة: Zhang, Zi-Hui, وآخرون
منشور في: (2013)

Advantages of the Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with an AlGaN/GaN/AlGaN Quantum Well Structured Electron Blocking Layer
بواسطة: Ju, Zhen Gang, وآخرون
منشور في: (2016)

Comments on "thermal resistance calculation of AlGaN-GaN devices"
بواسطة: Yin, W.-Y., وآخرون
منشور في: (2014)

AlGaN/GaN high electron mobility transistors with a low sub-threshold swing on free-standing GaN wafer
بواسطة: Liu, X, وآخرون
منشور في: (2020)

Investigation of interface properties of h-BN and AlN on AlGaN/GaN heterostructures
بواسطة: Whiteside, Matthew David
منشور في: (2021)

Electronic properties of zinc-blende GaN, AlN, and their alloys Ga1-xAlxN
بواسطة: Fan, W.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Probing the formation of two-dimensional electron gas in AlInGaN/ GaN heterostructures by photoluminescence spectroscopy
بواسطة: Soh, C.B., وآخرون
منشور في: (2014)

P-type doping in GaN through Be implantation
بواسطة: Feng, Z.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Deep level centers in InGaN/GaN heterostructure grown on sapphire and free-standing GaN
بواسطة: Soh, C.B., وآخرون
منشور في: (2014)

Record low contact resistance for InAlN/GaN HEMTs on Si with non-gold metal
بواسطة: Arulkumaran, Subramaniam, وآخرون
منشور في: (2015)

Investigation of gate leakage current mechanism in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with sputtered TiN
بواسطة: Li, Yang, وآخرون
منشور في: (2017)

Photoreflectance study on the surface states of n-type GaN
بواسطة: Liu, W., وآخرون
منشور في: (2014)

Material characterization of AlGaN/GaN based HEMT structures
بواسطة: Nur Hidayat Bin Hatwi
منشور في: (2014)

Vacancy effects on plasma-induced damage to n-type GaN
بواسطة: Chua, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)