Uniform void-free epitaxial CoSi 2 formation on STI bounded narrow Si(lOO) lines by template layer stress reduction
10.1149/1.1798191
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
2014
|
| الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81331 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | National University of Singapore |