Enhancing leakage suppression in carbon-rich silicon junctions
10.1109/LED.2006.874127
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Tan, C.F., Chor, E.F., Lee, H., Quek, E., Chan, L. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82295 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Carbon rich silicon (Si1-yCy)for defect engineering of ion implantation damage in devices activated by solid phase epitaxy
بواسطة: TAN CHUNG FOONG
منشور في: (2010) -
Leakage suppression of gated diodes fabricated under low-temperature annealing with substitutional carbon Si1-yCy incorporation
بواسطة: Tan, C.F., وآخرون
منشور في: (2014) -
Defect suppression of indium end-of-range during solid phase epitaxy annealing using Si1-yCy in silicon
بواسطة: Tan, C.F., وآخرون
منشور في: (2014) -
N-channel MOSFETs with embedded silicon-carbon source/drain stressors formed using cluster-carbon implant and excimer-laser-induced solid phase epitaxy
بواسطة: Koh, S.-M., وآخرون
منشور في: (2014) -
Pulsed laser annealing of ultra-shallow junctions in silicon-germanium
بواسطة: Tan, L.S., وآخرون
منشور في: (2014)