Influence of contact doping on graphene nanoribbon heterojunction tunneling field effect transistors
10.1016/j.sse.2012.05.023
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Da, H., Lam, K.-T., Samudra, G.S., Liang, G., Chin, S.-K. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82529 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Source/drain doping influence on heterojunction graphene nanoribbon tunneling field effect transistors
بواسطة: Da, H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Graphene nanoribbon tunneling field-effect transistors with a semiconducting and a semimetallic heterojunction channel
بواسطة: Da, H., وآخرون
منشور في: (2014) -
A simulation study of graphene-nanoribbon tunneling FET with heterojunction channel
بواسطة: Lam, K.-T., وآخرون
منشور في: (2014) -
Electrostatics of ultimately thin-body tunneling FET Using graphene nanoribbon
بواسطة: Lam, K.-T., وآخرون
منشور في: (2014) -
Computational study of double-gate graphene nano-ribbon transistors
بواسطة: Liang, G., وآخرون
منشور في: (2014)