Raman and photoluminescence characterization of Ge nanocrystals in co-sputtered Ge + SiO2 system
10.1016/S0928-4931(01)00288-0
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Choi, W.K, Ng, V., Ho, Y.W, Ng, S.P, Chen, T.B, Yu, M.B, Rusli, Yoon, S.F, Cheong, B.A, Chen, G.L |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82956 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Raman and photoluminescence properties of Ge nanocrystals in silicon oxide matrix
بواسطة: Jie, Y.X., وآخرون
منشور في: (2014) -
Investigation of Ge nanocrystal formation in SiO2-Ge-SiO2 sandwich structure
بواسطة: Choi, W.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Characterization of ge nanocrystals in a-SiO2 synthesized by rapid thermal annealing
بواسطة: Choi, W.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Characterisation of Ge nanocrystals in co-sputtered Ge+SiO2 system using raman spectroscopy, RBS and TEM
بواسطة: Ho, Y.W., وآخرون
منشور في: (2014) -
Factors affecting Ge nanocrystal size in co-sputtered Ge+SiO2 films
بواسطة: Choi, W.K., وآخرون
منشور في: (2014)