BTI and charge trapping in germanium p- And n-MOSFETs with CVD HfO 2 gate dielectric

• المؤلفون الرئيسيون: Wu, N., Zhang, Q., Zhu, C., Shen, C., Li, M.F., Chan, D.S.H., Balasubramanian, N.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83524

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM