Metal-germanide Schottky source/drain transistor with high-k/metal gate stack on Ge and Si0.05Ge0.95/Si substrate

• المؤلفون الرئيسيون: Gao, F., Li, R., Chi, D.Z., Balakumar, S., Lee, S.J.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83946
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/IWJT.2007.4279953