Three-port RF characterization of MOS transistors
10.1109/ARFTGS.2005.1500569
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Mahalingam, U., Rustagi, S.C., Samudra, G.S. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84307 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Extraction of channel length in 0.1 μm NMOSFET by gate to drain capacitance
بواسطة: Ling, C.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Direct extraction of substrate network parameters for RF MOSFET modeling using a simple test structure
بواسطة: Mahalingam, U., وآخرون
منشور في: (2014) -
Characterization and modeling of MOSFETS for RF applications
بواسطة: MAHALINGAM UMASHANKAR
منشور في: (2010) -
SDODEL MOSFET for performance enhancement
بواسطة: Chui, K.J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Characterization and modeling of subfemtofarad nanowire capacitance using the CBCM technique
بواسطة: Zhao, H., وآخرون
منشور في: (2014)