Electrical switching in amorphous (NCTA)2Ni(DMIT)2 thin films
Chemistry Letters
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Han, M.Y., Huang, W., Zhang, D., Li, T.J. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | CHEMISTRY |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/93685 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A reversible electrical memory switching and its microscopic mechanism in amorphous (NCTA)2Ni(DMIT)2 thin films
بواسطة: Han, M.Y., وآخرون
منشور في: (2014) -
Copper diffusion barrier performance of amorphous Ta-Ni thin films
بواسطة: Yan, Hua, وآخرون
منشور في: (2013) -
Effects of Si(001) surface amorphization on ErSi2 thin film
بواسطة: Tan, E.J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Effects of Si(001) surface amorphization on ErSi2 thin film
بواسطة: Pey, Kin Leong, وآخرون
منشور في: (2013) -
Novel diMmercaptoisotrithione (DMIT) and tetrathiafulvalene (TTF) with glucose units: Synthesis and characterization
بواسطة: Galian, Richard Anthony F.
منشور في: (2000)