Terahertz emission enhancement in InAs thin films using silicon lens coupler
Enhancement of the pulsed terahertz radiation generated from a lens-coupled InAs thin film excited by a femtosecond laser is reported. A Si hemispherical lens was used as a lens coupler and attached to the substrate-side of a 520-nm-thick InAs film, grown on a Si substrate. An enhancement factor of...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Que, Christopher T., Edamura, Tadataka, Nakajima, Makoto, Tani, Masahiko, Hangyo, Masanori |
---|---|
التنسيق: | text |
منشور في: |
Animo Repository
2011
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://animorepository.dlsu.edu.ph/faculty_research/11911 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Terahertz radiation from InAs films on silicon substrates excited by femtosecond laser pulses
بواسطة: Que, Christopher T., وآخرون
منشور في: (2009) -
Intense terahertz emission from undoped GaAs/n-type GaAs and InAs/AlSb structures grown on Si substrates in the transmission-geometry excitation
بواسطة: Estacio, E., وآخرون
منشور في: (2011) -
Epitaxial growth of p-InAs on GaSb with intense terahertz emission under 1.55-μm femtosecond laser excitation
بواسطة: Sadia, Cyril P, وآخرون
منشور في: (2018) -
Epitaxial growth of p-InAs on GaSb with intense terahertz emission under 1.55-μm femtosecond laser excitation
بواسطة: Sadia, Cyril P., وآخرون
منشور في: (2018) -
A structure for enhanced terahertz emission from a photoexcited semiconductor surface
بواسطة: Bakunov, M. I., وآخرون
منشور في: (2010)