Growth and characterization of GaN-based quantum cascade laser (QCL) structures
This report presents the studies completed by the author during his final year project with Temasek Laboratories @ NTU. The project focuses on the simulation of AlGaN/GaN-based Quantum Cascade Lasers (QCL) on polar and non-polar planes and the growth, optimization, and characterisation of GaN-based...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Yuen, Ho Ching |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Radhakrishnan K |
التنسيق: | Final Year Project |
اللغة: | English |
منشور في: |
Nanyang Technological University
2021
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/149128 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Mid-infrared GaN/AlGaN quantum cascade detector grown on silicon
بواسطة: Dror, Ben, وآخرون
منشور في: (2021) -
Characterization of quantum cascade lasers
بواسطة: Toh, Kee Mun
منشور في: (2022) -
Structural and electrical characterization of GaN based hetero-structures
بواسطة: Agarwal, Ananya
منشور في: (2013) -
Controlling QCL characterization experiment based on LabVIEW
بواسطة: Wang, Yanyu
منشور في: (2022) -
Electrical characterization of GaN-based layer structures
بواسطة: Firdous Banu
منشور في: (2011)