RF performance benchmarking of TSV integrated surface electrode ion trap for quantum computing
Surface electrode ion trap is highly promising for practical quantum computing due to its superior controllability on the trapped ions. With advanced microfabrication techniques, silicon has been developed as ion trap substrate for delicate surface electrodes design as well as monolithic electro-opt...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Zhao, Peng, Li, Hong Yu, Tao, Jing, Likforman, Jean-Pierre, Lim, Yu Dian, Seit, Wen Wei, Luca, Guidoni, Tan, Chuan Seng |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2021
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/153006 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
CMOS-fabricated ring surface ion trap with TSV integration
بواسطة: Zhao, Peng, وآخرون
منشور في: (2024) -
Heating dissipation discussion of TSV-integrated ion trap with glass interposer
بواسطة: Zhao, Peng, وآخرون
منشور في: (2024) -
Simplified Assembly of Through-Silicon-Via Integrated Ion Traps
بواسطة: Zhao, Peng, وآخرون
منشور في: (2023) -
Large-scale fabrication of surface ion traps on a 300 mm glass wafer
بواسطة: Tao, Jing, وآخرون
منشور في: (2022) -
Development of mixed pitch grating for the optical addressing of trapped Sr+ Ion with data analysis techniques
بواسطة: Lim, Yu Dian, وآخرون
منشور في: (2023)