Investigation of the photoluminescence and absorption spectrum of GeSn nanoplatelets
Germanium-tin (GeSn) alloys have recently gained attention due to their potential use in optoelectronic devices. In this project will apply the 10-band k.p method to simulate the band structure of GeSn under tensile strain and to obtain photoluminescence and absorption spectra on different strains a...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Lim, Sherleen Ting Wei |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Fan Weijun |
التنسيق: | Final Year Project |
اللغة: | English |
منشور في: |
Nanyang Technological University
2023
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/167379 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
GeSn alloys fabricated by modified sputtering deposition
بواسطة: Qian, Li
منشور في: (2020) -
Strain-relaxed GeSn-on-insulator (GeSnOI) microdisks
بواسطة: Burt, Daniel, وآخرون
منشور في: (2022) -
High-performance GeSn photodetector and fin field-effect transistor (FinFET) on an advanced GeSn-on-insulator platform
بواسطة: Wang, Wei, وآخرون
منشور في: (2019) -
Germanium-tin (GeSn) p-channel fin field-effect transistor fabricated on a novel GeSn-on-insulator substrate
بواسطة: Lei, Dian, وآخرون
منشور في: (2020) -
Tensile strained direct bandgap GeSn microbridges enabled in GeSn-on-insulator substrates with residual tensile strain
بواسطة: Burt, Daniel, وآخرون
منشور في: (2023)