Recent advances in single crystal narrow band-gap semiconductor nanomembranes and their flexible optoelectronic device applications: Ge, GeSn, InGaAs, and 2D materials
Flexible optoelectronics have attracted much attention in recent years for their potential applications in healthcare and wearable devices. Narrow bandgap (NBG) semiconductor nanomembranes (NMs) are promising candidates for flexible near-infrared (NIR) applications due to their light weight, bendabi...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | An, Shu, Park, Hyunjung, Kim, Munho |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2023
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/170167 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Strain-free GeSn nanomembranes enabled by transfer-printing techniques for advanced optoelectronic applications
بواسطة: Tai, Yeh-Chen, وآخرون
منشور في: (2021) -
Flexible germanium (Ge) nanomembranes and devices
بواسطة: Mak, Sin Hua
منشور في: (2024) -
Strain-relaxed GeSn-on-insulator (GeSnOI) microdisks
بواسطة: Burt, Daniel, وآخرون
منشور في: (2022) -
High-performance GeSn photodetector and fin field-effect transistor (FinFET) on an advanced GeSn-on-insulator platform
بواسطة: Wang, Wei, وآخرون
منشور في: (2019) -
Strain profile and size dependent electronic band structure of GeSn/SiSn quantum dots for optoelectronic application
بواسطة: Tan, Chuan Seng, وآخرون
منشور في: (2015)