Ion irradiation-induced interface mixing and the charge trap profiles investigated by in situ electrical measurements in Pt/Al₂O₃/β-Ga₂O₃MOSCAPs
In situ I - V and C-V measurements were performed during the 120 MeV Au9+ ion irradiation on the Pt/Al2O3/β-Ga2O3, metal-oxide-semiconductor capacitors (MOSCAPs), to comprehend the swift heavy ion (SHI)-induced effects at the interface and in the device performance. At a maximum fluence of 2× 1012 i...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2023
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/170740 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|