Investigation of the spectral and electrical accelerated degradation characteristics of semiconductor injection lasers grown by molecular beam epitaxy
52 p.
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Yoon, Soon-Fatt. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | Research Report |
منشور في: |
2011
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/46613 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
مواد مشابهة
-
Characterisation of compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
بواسطة: Zhang, Peng Hua
منشور في: (2009) -
Photoluminescence studies of compound semiconductor structures grown by molecular beam epitaxy
بواسطة: Li, He Ming.
منشور في: (2009) -
Electrical and physical property study of thin films grown by laser molecular beam epitaxy
بواسطة: Choy, Chang Ye.
منشور في: (2009) -
Study of indium gallium phosphide compound semiconductor grown by solid source molecular beam epitaxy
بواسطة: Mah, Kia Woon
منشور في: (2008) -
Development of molecular beam epitaxial growth processes for RF device technology
بواسطة: Yoon, Soon Fatt.
منشور في: (2008)