Determination of diffusion lengths with the use of EBIC from a diffused junction with any values of junction depths
Minority carrier diffusion lengths determine the performance of bipolar and photodiode devices. An electron-beaminduced-current (EBIC) method has been widely used to extract this parameter. The extraction of the diffusion lengths involves a p-n junction to collect the minority carriers. The most use...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Ong, Vincent K. S., Kurniawan, Oka. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2009
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/84920 http://hdl.handle.net/10220/4658 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Extraction of diffusion length using junction-less EBIC
بواسطة: Ong, Vincent K. S., وآخرون
منشور في: (2010) -
Junction depth & defect characterization with the use of EBIC
بواسطة: Phua, Poh Chin.
منشور في: (2008) -
Determination of diffusion length from within a confined region with the use of EBIC
بواسطة: Ong, Vincent K. S., وآخرون
منشور في: (2009) -
Computation of charge collection probability for any collecting junction shape
بواسطة: Ong, Vincent K. S., وآخرون
منشور في: (2010) -
Direct method for the extraction of diffusion length and surface recombination velocity from an EBIC line scan: planar junction configuration
بواسطة: Chan, Daniel S.H., وآخرون
منشور في: (2014)